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• 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 絶緣-兩極性-, Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT

  효과 트랜지스터(MOSFET)보다 동작 저항을 작게 할 수 있는 3단자 양극성 금속 산화물 반도체(MOS) 복합 반도체 소자. 고내압이면서 비교적 고속의 파워 트랜지스터(power transistor)이다. 펄스 폭 변조(PWM) 제어 인버터에 내장되어 모터를 구동하는 용도 외에 파워 집적 회로(IC)의 출력부 등에 사용된다.

• 절연 게이트 양극성 트랜지스터, Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT

  자동차 같은 고효율 고속 전력 체계에 많이 쓰는 반도체. 자동차용 모터를 제어해 주기 때문에 IGBT 성능에 따라 자동차 주행 성능과 전력 효율이 좌우된다. 친환경 자동차 수요가 늘면서 더욱 각광 받는 추세다. 그동안 도시바, 도요타, 미쓰비시 등 일본 기업이 세계 IGBT 시장을 지배했다. 시장 점유율이...

  출처 : ICT시사용어300(2012)